パワー半導体モジュールの状態監視技術：三菱電機、欧州「FLAGCHIP」プロジェクトでの開発を開始

ニュースの要約

• 三菱電機が欧州の「FLAGCHIP」プロジェクトに参加し、パワー半導体モジュールの状態監視技術の開発を開始
• モジュール内部の半導体チップの温度を推定し、劣化状況の推定に応用する
• 2026年10月から実証試験を開始し、状態監視技術の早期実用化を目指す

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概要

三菱電機は、欧州現地法人であるMitsubishi Electric R&D Centre Europeを通じて、EUの研究・イノベーションプログラム「Horizon Europe」の中で「FLAGCHIP」プロジェクトに参加し、革新的なパワー半導体モジュールおよびその状態監視技術の開発に取り組むことを発表しました。

このプロジェクトでは、パワー半導体モジュール内部の半導体チップ（SiC-MOSFET）の温度を正確に推定する技術の実証を担当します。その温度推定結果をもとに、パワー半導体モジュールの劣化状況の推定技術に活用していく予定です。

具体的には、フランスの風力発電システムを対象とした試験設備で、新たに製作した試験機を用いて実証試験を行う予定で、2026年10月から2028年2月までの期間に取り組みます。これによって、状態監視技術の早期実用化を目指していきます。

編集部の感想

パワー半導体は再生可能エネルギーの発電システムで重要な役割を果たしていますが、劣化状況の監視は難しい課題だったので、この取り組みは注目に値します
半導体チップの温度を正確に推定する技術は、劣化状況の予測に役立つでしょう。シンプルなシステムでできるのも魅力的です
欧州の研究プロジェクトに参加し、実証実験を重ねていくのは着実な取り組みだと感じました

編集部のまとめ

パワー半導体モジュールの状態監視技術：三菱電機、欧州「FLAGCHIP」プロジェクトでの開発を開始についてまとめました

今回の発表は、三菱電機がEUの研究プロジェクト「FLAGCHIP」に参加し、パワー半導体モジュールの状態監視技術の開発に着手したというものです。

モジュール内部の半導体チップの温度を推定する技術を実証し、それを基に劣化状況の推定に活用していくのが狙いです。再生可能エネルギー発電システムの信頼性向上に大きく貢献できるはずで、注目に値する取り組みだと言えるでしょう。

2026年10月から実証試験を開始し、2028年2月までの期間に成果を出していく予定です。パワー半導体の状態監視技術の早期実用化に期待が高まります。

参照元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000220.000120285.html

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